晶圆片
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晶圆片(英文:Wafer)是半导体制造中的核心基础材料,通常指由单晶硅制成的圆形薄片。以下是关键信息:
1. 核心特性
- 材料:高纯度硅(99.9999%以上),通过提拉法(CZ法)生长成圆柱形单晶硅锭。
- 形状:经切割、抛光后形成标准圆形,直径常见 150mm(6英寸)、200mm(8英寸)、300mm(12英寸)。
- 厚度:约0.5-0.8mm,300mm晶圆厚度约775μm。
2. 制造流程
graph LR
A[硅砂提纯] --> B[熔炼多晶硅]
B --> C[拉制单晶硅锭]
C --> D[切割成晶圆]
D --> E[表面研磨抛光]
E --> F[清洁镀膜]
3. 核心用途
- 芯片制造:通过光刻、蚀刻等工艺在表面制作集成电路(IC),单晶圆可产出数百至数千颗芯片。
- 封装基板:用于芯片测试、封装前的承载基材。
- 其他领域:太阳能电池片(光伏硅片)、MEMS传感器等。
4. 行业关键数据
| 直径 | 产能优势 | 主流应用 |
|---|---|---|
| 300mm | 成本降低30%,面积增2.25倍 | 先进逻辑芯片、存储芯片 |
| 200mm | 供需紧平衡 | 模拟芯片、功率器件 |
| 150mm | 逐步淘汰 | 传统分立器件 |
5. 与相似概念区分
- 裸芯片(Die):晶圆上切割下来的单个功能单元。
- 芯片(Chip):封装后的成品半导体器件。
- 硅片(Silicon Slice):晶圆片的原材料阶段别称。
示例:一片300mm晶圆可制造约600颗苹果A15芯片(尺寸约10mm x 10mm),经封装测试后成为手机处理器。
晶圆片是信息产业的“粮食”,全球年消耗量超千万片,其直径升级(如向450mm推进)直接决定芯片性能与成本竞争力。
WD4000系列晶圆几何量测系统:全面支持半导体制造工艺量测,保障晶圆制造工艺质量
TTV、BOW、WARP对晶圆制造工艺的影响对化学机械抛光工艺的影响:抛光不均匀,可能会导致CMP过程中的不均匀抛光,从而造成表面粗糙和残留应力。对薄膜沉积工艺的影响:凸凹不平的
资料下载
szzhongtu5
2024-06-07 09:30:03
关于晶圆介绍以及IGBT晶圆的应用
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种,然后慢慢拉出,形成圆柱形的单晶硅。硅
资料下载
陈杰
2023-02-22 14:46:16
京仪装备首台12寸双臂晶圆倒片机研发成功:实现每小时300片以上的倒片速度
京仪装备宣布,近日,在晶圆倒片机的研发上,京仪装备又实现了重大突破,自主研发出高速集成电路制造
2020-12-09 15:44:02
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