陶瓷基板pcb流程
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以下是陶瓷基板PCB(通常指陶瓷电路板)的主要工艺流程,与常规FR4 PCB有显著差异,主要分为HTCC(高温共烧)、LTCC(低温共烧)、DPC(直接镀铜) 等工艺路线。以下是通用流程及关键技术节点:
一、陶瓷基板通用工艺流程
1. 基板制备
- 原料选择:氧化铝(Al₂O₃,96%/99%)、氮化铝(AlN)、氧化铍(BeO)等陶瓷粉末。
- 成型工艺:
- 流延成型(HTCC/LTCC):陶瓷粉+有机粘合剂混合为浆料,通过流延机成型为薄片(生瓷带)。
- 干压成型(DPC基板):粉末压制成型后高温烧结为陶瓷基板毛坯。
- 切割:将烧结后的陶瓷基板切割成所需尺寸。
2. 打孔与通孔形成
- 激光打孔/机械钻孔:在基板上制作通孔(Via)和定位孔。
- HTCC/LTCC:在生瓷带(未烧结)上打孔,填充导电浆料。
- DPC:在烧结后的基板上激光钻孔(孔径可小至50μm)。
3. 金属化(关键步骤)
不同工艺的金属化方式:
-
HTCC(高温共烧陶瓷):
- 丝网印刷:在生瓷带上印刷钨/钼锰浆料形成线路图形。
- 叠层与层压:多层生瓷带对齐叠层,热压粘合。
- 高温烧结:1600°C以上惰性气氛中烧结,陶瓷与金属同步致密化。
- 表面镀镍/金:改善焊接性和抗氧化性。
-
LTCC(低温共烧陶瓷):
- 印刷银/金浆料:在生瓷带上印刷导电图形(烧结温度850-900°C)。
- 共烧:多层叠压后在900°C以下烧结,兼容高导金属(Ag/Cu)。
-
DPC(直接覆铜陶瓷基板):
- 表面清洁:陶瓷基板超声清洗、等离子活化。
- 溅射种子层:真空溅射Ti/Cu或Cr/Cu薄膜(0.1-1μm)。
- 图形电镀增厚铜:光刻胶掩膜→电镀铜(10-100μm)→退火增强结合力。
- 蚀刻成型:去除多余种子层,形成精细线路。
4. 表面处理
- 电镀镍/金(ENIG):增加焊盘可焊性及抗氧化(DPC常用)。
- 沉银/沉锡:低成本替代方案(LTCC常用)。
5. 切割与分板
- 激光切割/金刚石划片:将整板分割为单个陶瓷基板PCB单元(边缘精度±0.1mm)。
6. 检测与测试
- AOI(自动光学检测):检查线路缺陷、偏移。
- 电性能测试:导通测试(开/短路)、绝缘电阻测试。
- 热循环测试:验证基板抗热冲击性能(-55°C~150°C循环)。
二、工艺路线对比
| 工艺 | 烧结温度 | 金属材料 | 线宽精度 | 导热性 | 典型应用 |
|---|---|---|---|---|---|
| HTCC | >1600°C | 钨/钼锰 | ≥100μm | 中(Al₂O₃) | 大功率封装基座 |
| LTCC | 850-900°C | 银/金 | ≥50μm | 低(含玻璃相) | RF模块、传感器 |
| DPC | 无需共烧 | 直接电镀铜 | ≥30μm | 高(AlN基板最佳) | LED/半导体激光器基板 |
三、核心优势
- 高导热性:AlN基板导热率可达180-200 W/mK(FR4仅0.3 W/mK)。
- 低CTE匹配:热膨胀系数接近硅芯片,减少热应力。
- 高温稳定性:工作温度>600°C(FR4<130°C)。
⚠️ 难点:陶瓷脆性导致加工良率低;HTCC/LTCC收缩率控制、DPC金属-陶瓷结合强度是工艺核心挑战。
该流程广泛应用于高功率LED、IGBT模块、射频器件、航空航天电子等高端领域。需根据具体需求(导热、高频、多层互联)选择工艺路线。
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