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充电部分pcb走线

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好的,针对充电部分的 PCB 走线设计,需要特别注意功率路径(大电流路径)、信号完整性(敏感模拟信号)、散热和安规。以下是关键的设计要点和注意事项(都用中文):

一、 功率路径走线(大电流路径)

  1. 加宽线宽:

    • 这是最重要的原则。根据充电电流的大小(如 1A, 2A, 5A)和铜厚(如 1oz, 2oz),使用在线载流计算器或 IPC 标准计算所需的最小线宽。一定要留有余量(20-30% 裕量)
    • 示例: 2A 电流,1oz 铜厚,温升控制在 10°C,线宽可能需要 30-40 mils (0.76-1.02mm) 或更宽。
    • 目标: 减小走线电阻,降低发热和电压降。
  2. 缩短长度:

    • 尽可能缩短输入电源(Vin,如 USB VBUS 或 DC Jack)到充电芯片 Vin 引脚的距离。
    • 尽可能缩短充电芯片电源输出(SW/BAT/OUT)引脚到电池连接器(BAT+)的距离。
    • 目标: 进一步减小电阻、寄生电感,降低损耗和开关噪声辐射。
  3. 避免锐角/直角:

    • 使用 45° 角或圆弧进行转角布线。直角或锐角会增加有效线宽变窄,在高频开关下容易产生电磁干扰(EMI)。
    • 目标: 平滑电流路径,减少EMI。
  4. 使用大面积铜皮(铺铜):

    • 在允许的空间内,Vin、GND、SW/BAT 路径优先使用实心铺铜(Polygon Pour)代替细线连接。
    • 增加铜皮的连接面积,降低阻抗和提高散热能力。
    • 目标: 最大化导电截面积,辅助散热。
  5. 减少过孔数量:

    • 功率路径上尽量减少过孔。每个过孔都会增加电阻和电感。
    • 必须使用过孔时:
      • 多用! 并联多个过孔(例如 4-8 个甚至更多)来分担电流。
      • 加大! 使用尽可能大的过孔尺寸(在满足板厂工艺的前提下)。
      • 加厚! 如果成本允许,考虑使用厚铜板(如 2oz)或要求板厂对过孔孔壁进行加厚镀铜处理。
    • 目标: 最小化过孔带来的阻抗。
  6. 保持环路面积最小:

    • 这是针对 Buck 或 Boost 等开关充电拓扑的关键点。电流从输入电容 -> 充电芯片上管 -> 电感 -> 输出电容/电池 -> -> 输入电容形成一个环路。这个环路面积必须尽可能小
    • 实现方法:
      • 将输入电容(C_in)紧贴充电芯片 Vin 和 GND 引脚放置。
      • 将输出电容(C_out)紧贴充电芯片 SW/BAT 引脚和 GND 放置(如果是开关拓扑)。
      • 将功率电感紧贴充电芯片 SW 引脚放置。
      • 确保这些关键元件(C_in, IC, L, C_out)及其连接走线在物理上非常靠近,并优先在同一层布线。
      • 使用短而宽的走线连接它们。
    • 目标: 减小开关电流环路面积,这是降低 EMI 的最有效方法之一。

二、 信号走线(敏感模拟信号)

  1. 电池电压检测(BAT Sense / VFB):

    • 这是最敏感的模拟信号线之一,直接影响充电电压精度和电池安全。
    • 开尔文连接: 一定要使用开尔文连接(Kelvin Connection)或称“四线制”检测!
      • 从充电芯片的电池电压检测正输入端(通常叫 BATVFB)单独引出一条细线直接连接到电池连接器的正极(BAT+)。这条线只用于检测电压不要让它分担充电电流。
      • 从充电芯片的电池电压检测负输入端(通常是芯片的模拟地 AGND)单独引出一条细线直接连接到电池连接器的负极(BAT-)或其附近的专用检测点。这条线不要让它分担充电返回电流。
      • 电池充电的主电流回路使用另一组宽走线(或铜皮)连接充电芯片功率输出端到 BAT+ 和 BAT-。
    • 远离噪声源: 这两条检测线务必远离:
      • 开关节点(SW):至少保持 3-5 倍线宽以上的距离,必要时用地线屏蔽。
      • 高频数字信号线(时钟、数据线)。
      • 电感等磁性元件。
    • 目标: 精确测量电池电压,避免充电电流在走线电阻上产生的压降影响检测精度。
  2. 充电电流检测(ISET / RSET / CSP / CSN):

    • 如果使用检流电阻测量电流:
      • 检流电阻(通常是毫欧级别)必须紧贴充电芯片的电流检测引脚(如 CSP, CSNISET+, ISET-)。
      • 连接 CSP 和 CSN 到检流电阻的走线必须对称、等长、平行且靠近走线。将它们用地线包围(Guard Ring)可提高抗噪能力。
      • 同样适用开尔文连接理念: CSP/CSN 走线只连接到检流电阻两端,检流电阻应直接串联在充电主回路中(通常是 BAT- 路径)。
      • 检流电阻两端到 CSP/CSN 引脚的走线尽量短。通常将检流电阻放置在充电芯片和 BAT- 连接器之间。
    • 如果使用芯片内部集成检流:
      • 遵循数据手册的布局指南(若有)。
    • 远离噪声源: 同样要远离开关节点、高频数字线等。
    • 目标: 精确测量充电电流。
  3. 温度检测(如 NTC / TS):

    • 连接电池内部 NTC 热敏电阻(或外部热敏电阻)到充电芯片温度检测引脚(如 TS, NTC)的走线。
    • 并联滤波电容: 通常需要在靠近芯片 TS/NTC 引脚处放置一个小的滤波电容(如 100nF)到模拟地。
    • 远离噪声源: 同样需要远离开关噪声源。
    • 如果走线较长,考虑用地线包裹(Guard Trace)进行保护。
    • 目标: 准确检测电池温度,防止过温充电。

三、 接地(GND)设计

  1. 区分功率地和信号地(AGND):

    • 开关充电芯片通常有两种地引脚:功率地(PGND)和模拟地/信号地(AGND)。必须严格区分!
    • PGND: 连接输入电容的负极、输出电容的负极、芯片的 PGND 引脚、续流二极管阴极(如果是二极管方案)、检流电阻的低侧(如果是 BAT- 路径)。这是大开关电流返回的路径。使用大面积铺铜。
    • AGND: 连接所有敏感模拟信号的回流路径:电压检测网络的下拉电阻、电流检测网络的下拉电阻(如果需要)、温度检测网络的下拉电阻、为信号部分供电的 LDO 输出电容地(若有)。使用相对“安静”的铺铜区域。
    • 单点连接: 通常,PGND 和 AGND 需要在一点连接到主系统参考地(通常是主地层)。这个连接点通常选择在充电芯片下方或其 AGND/PGND 引脚非常靠近的位置。有时数据手册会推荐具体的连接方式(如通过一个特定阻值的电阻或磁珠连接)。
    • 绝对不能将大开关电流流过 AGND 平面!
  2. 坚实完整的地平面:

    • 在充电电路下方(最好是多层板的中间层)提供一个完整、低阻抗的参考地平面(可以是 PGND 或主系统地,但 AGND 区域要保持干净)。
    • 为所有接地引脚(PGND, AGND)和去耦电容提供短而宽多个过孔连接到地平面。
    • 目标: 提供稳定的参考电位和低阻抗的回流路径。

四、 去耦电容放置

  1. 靠近引脚:
    • 输入电容(C_in):必须紧贴充电芯片的 Vin 和 PGND 引脚放置。优先使用低ESR的陶瓷电容(如X5R, X7R)。
    • 输出电容(C_out):对于开关拓扑,必须紧贴充电芯片的 SW/BAT 引脚和 PGND 引脚放置。同样优先陶瓷电容。
    • 信号引脚去耦电容(如 TS 脚电容):紧贴芯片对应引脚和 AGND 放置。
    • 芯片电源引脚(VCC, VDD):如果有,其去耦电容也要紧贴芯片引脚和 AGND。
  2. 减少环路:
    • 电容焊盘到芯片引脚的连线要尽量短而宽。电容的接地过孔也应在电容焊盘旁边就近打孔到地平面。

五、 散热考虑

  1. 发热元件识别: 主要发热源通常是充电芯片本身(尤其是内部功率MOSFET)、功率电感、检流电阻(如果电流大)。
  2. 铺铜散热: 利用大面积的铺铜(Vin, SW, BAT, GND)帮助散热。
  3. 散热过孔阵列: 在充电芯片底部的散热焊盘(Exposed Pad, EP)下,放置尽可能多的、尺寸足够大的过孔(填充或不填充导热材料视工艺而定),连接到内部或底层的地平面(PGND)以增强散热。遵循芯片数据手册的建议。
  4. 电感选择: 选择饱和电流和温升电流满足要求的功率电感。如果空间允许,选择屏蔽式电感(Shielded Inductor)以减少磁场泄露和EMI。
  5. 布局空间: 在发热元件周围预留一定的空间,避免将温度敏感的元件(如电解电容、某些传感器)紧贴它们放置。

六、 安规与间距

  1. 高压隔离:
    • 如果输入是交流适配器(如 > 30V DC),必须严格遵守不同电压等级之间的爬电距离(Creepage)电气间隙(Clearance) 要求(参考 IEC/UL 60950-1 或其他适用标准)。
    • 高压输入区域(如 DC Jack 焊盘、输入电容焊盘、充电芯片 Vin/HV 引脚)与低压区域(信号部分、电池输出部分)之间的间距要足够大。必要时开槽(Slot)。
  2. 电池极性保护:
    • 确保电池连接器(BAT+/BAT-)的布线清晰,并有明确的防呆标识(丝印),甚至在 PCB 上做物理防呆(如槽口)。避免因反接导致严重事故。

总结关键原则

  1. 功率路径: 短、宽、直(或大角度弧线),少过孔(或并联多/大过孔),小环路(开关拓扑)。
  2. 信号路径: 开尔文检测(BAT sense),精密对称(电流检测),远离噪声(开关节点、数字线),就近滤波(去耦)。
  3. 接地: 严格分离(PGND vs AGND),单点连接完整平面
  4. 去耦电容: 紧贴引脚
  5. 散热: 利用铜皮散热过孔(芯片EP), 预留空间
  6. 安规: 高压间距电池防呆

最重要提示:

遵循这些指导原则,并结合具体芯片手册的建议,将大大提高充电电路 PCB 设计的可靠性、效率和安全性。

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