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反激电源的设计步骤是怎样的?反激电源电路图解

设计变压器,就是要先选定一个工作点,在这个点就是最低的交流输入电压,对应于最大的输出功率。第一步,选定原边感应电压VOR。第二步,确定原边电流波形的参数。第三步,选定变压器磁芯。第四步,计算变压器的原边匝数。第五步,确定次级绕组的参数匝数和线径。第六步,确定反馈绕组的参数。第七步,确定电感量,使用公式 L = Vs*TON/(Ip*Krp) 就可以确定原边电感值了。

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以下是反激电源的设计步骤及关键电路图解(中文说明):


一、反激电源设计步骤

1. 确定设计规格

2. 选择拓扑结构

3. 计算功率级参数

4. 设计高频变压器

5. 功率器件选型

6. 吸收电路设计

7. 反馈环路设计

8. 控制IC外围电路

9. 输入/输出滤波

10. 优化与验证


二、反激电源典型电路图解

        +-----------+         +-------+
 AC IN  | EMI滤波器 |         |       |     +------+
 ───────►           ├──┬──────► MOSFET │     |      |
        +-----------+  │      |       │     | 变压器│
                       │      +-------+     |      |
                   +---↓--+        │        +--+---+
                   | 整流桥 |        │           │
                   |  &    ◄────────┘           │
                   | 滤波电容|                   │
                   +-------+                    │
                       │                        │
                       ├─────────────┐          │
                       │             │          │
                   +---↓--+    +-----↓-----+    │
                   |控制IC ├───► 电流检测    |    │
                   | &驱动 |    | Rs & 补偿 |    │
                   +------+    +-----------+    │
                                             +--↓---+
                                             | 输出 |      +------+
                                             | 整流 ◄──────► 滤波 │
                                             |      |  D1   | 电容 ├──► Vo+
                                             +-↑--+-+       +------+
                                               |  |             │
                                               |  └─────┐       │
                                               │        │       │
                                            +--↓-+   +--↓-+     │
                                            |光耦|   |TL431|     │
                                            |    ◄───┤    |     │
                                            +----+   +-----+     ▼
                                                 │       │      GND
                                                 └───────┘

关键部分说明

  1. 输入滤波:EMI滤波器 + 整流桥
  2. 功率转换:MOSFET开关控制变压器储能/释能
  3. 钳位电路:RCD吸收漏感尖峰(图中未展示,接在变压器初级两端)
  4. 输出整流:二极管(或同步整流MOS) + LC滤波
  5. 反馈回路:TL431分压采样 → 光耦隔离 → 控制IC调节占空比

:拓扑图中 同名端(•) 至关重要,确保变压器相位正确(MOS关断时次级输出正向电压)。


三、设计要点总结

  1. 变压器设计是核心难点,需反复迭代验证(如用PI Expert辅助计算)。
  2. 环路稳定性需关注穿越频率(通常取开关频率的1/10)和相位裕度(>45°)。
  3. 安全设计:初级-次级满足安规距离(如6mm爬电距离),Y电容连接地减小EMI。

实际设计建议结合仿真工具和工程经验,尤其注意:

需要特定参数的计算公式(如变压器详细设计)可进一步说明!

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