半导体材料的应用现状及研究进展
综述:高性能锑化物中红外半导体激光器研究进展
据麦姆斯咨询报道,近期,由中国科学院半导体研究所和中国科学院大学组成的科研团队受邀在《激光技术》期刊上发表了以“高性能锑化物中红外半导体激光器
2024-04-13 12:08:36
大功率半导体技术现状及其进展
功率半导体技术经过 60 余年发展,器件阻断能力和通态损耗的折衷关系已逐渐逼近硅基材料物理极限,因此宽禁带材料与器件越来越受到重视,尤其是以碳化
2023-05-09 14:27:55
半导体硅材料研磨液研究进展
。文章详细说明了硅片研磨机理及工艺条件;重点阐述了在半导体硅片的研磨过程中研磨液的组成及各个组分的作用;并介绍了国内外研磨液的发展现状,指出了其优缺点 ;最后强调了研磨液开发的重要性。
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姚小熊27
2021-04-09 09:58:44
宽禁带功率MOSFET半导体器件的研究进展详细资料说明
半个世纪以来, 功率半导体器件得到长足发展, 极大地促进了电力电子技术的进步, 而功率半导体器件的发展主要基于整个微电子领域的基石——硅材料。1
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佚名
2021-03-01 16:12:00
宽禁带半导体SiC功率器件有什么样的发展现状和展望说明
先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体
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佚名
2021-02-01 11:28:46
高导热率氮化硅散热基板材料的研究进展
针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题,主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新
2022-12-06 09:42:40
利用稀土掺杂UCNCs作为光活性材料用于NIR PDs的研究进展
本文综述了近年来利用稀土掺杂UCNCs作为光活性材料用于NIR PDs的研究进展,主要包括:提高UCNCs发光效率/发光强度以实现窄带NIR探测的几种主要策略;UCNCs与钙钛矿、石墨烯、MoS2结合应用于NIR P
2022-11-17 10:23:31
功率器件TIM材料的研究进展
的气体空隙,减小界面接触热阻,因而在功率器件热管理中发挥着重要的作用。本文综述了近年来国内外热界面材料的研究进展,包括单一基体的热界面材料、聚合
2022-11-04 09:50:18
《炬丰科技-半导体工艺》GaN 半导体材料与器件手册
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:GaN 半导体材料与器件手册编号:JFSJ-21-059III族氮化物
半导体材料有什么种类?
半导体材料从发现到发展,从使用到创新,拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初,就曾出现过点接触矿石检波器。1930年,氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用,是半导
GaN基微波半导体器件材料的特性
材料。与目前绝大多数的半导体材料相比,GaN 具有独特的优势:禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高,使其成为最令人瞩目的新型
换一换
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