稳压二极管参数

好的，稳压二极管（也称为齐纳二极管或Zener Diode）的主要技术参数如下（用中文解释）：

稳定电压/齐纳电压：
- 符号： Vz
- 定义： 稳压二极管在规定的测试电流 (Iz) 下工作时，其两端维持的稳定（击穿）电压值。这是稳压二极管最核心的参数。
- 单位： 伏特
- 说明： 相同型号的稳压二极管，其 Vz 值在一个范围内分布（如 5.1V±5%），选型时需要关注这个范围。
测试电流：
- 符号： Iz
- 定义： 用来测量稳定电压 Vz 时规定的特定工作电流。Vz 值是在此电流下标定的。
- 单位： 毫安
- 说明： Iz 通常设计在稳压二极管正常工作电流范围的中部附近。
动态电阻/齐纳阻抗：
- 符号： Zz 或 Rz
- 定义： 稳压二极管在规定的测试电流 (Iz) 下工作时，其两端电压变化量 (ΔVz) 与流过其电流变化量 (ΔIz) 的比值。即 Rz = ΔVz / ΔIz。
- 单位： 欧姆
- 说明： Rz 越小，说明稳压二极管对电流变化的抑制能力越强，即稳压效果越好。这是衡量稳压性能好坏的关键参数。通常 Vz 较低（如 < 6V）或较高（接近其最大额定 Vz）时 Rz 较小，在中间区域（如 6-8V） Rz 可能较大。
最大工作电流：
- 符号： Iz max
- 定义： 稳压二极管在稳定电压区工作时，允许长期流过的最大正向平均电流值。超过此值二极管功耗过大，可能损坏。
- 单位： 毫安 / 安培
- 说明： 这是重要的安全工作区限制参数。
最大耗散功率：
- 符号： Pz max 或 Pd max
- 定义： 稳压二极管所能承受的最大平均功率。通常计算为 P = Vz * Iz。
- 单位： 毫瓦 / 瓦特
- 说明： 最关键的安全限制参数之一。实际功耗 P（= Vz * Iz）必须小于 Pz max。Pz max 受封装大小和散热条件限制，并与环境温度有关（通常给出在25°C下的值）。
温度系数：
- 符号： TC 或 α
- 定义： 稳压二极管的稳定电压 Vz 随环境温度变化的系数。表示为温度每升高1°C，Vz 变化的百分比或毫伏数。Vz ≈ 5-6V 时温度系数接近零，低于此值（<5V）为负温度系数（温度升高，Vz下降），高于此值（>6V）为正温度系数（温度升高，Vz上升）。
- 单位： %/°C 或 mV/°C
- 说明： 对温度稳定性要求高的应用需要关注此参数。串联相反温度系数的二极管可以补偿温漂。
正向压降：
- 符号： Vf
- 定义： 当稳压二极管正向导通（阳极接正、阴极接负）时，其两端的电压降。与普通硅二极管相似，约为 0.6V - 1V。
- 单位： 伏特
- 说明： 在整流或限幅等双向应用中可能需关注。稳压状态下通常是反向工作。
反向漏电流：
- 符号： Ir
- 定义： 在稳压二极管反向偏置但电压远低于其标称 Vz（未进入击穿区）时，流过二极管的反向漏电流。
- 单位： 微安 / 纳安
- 说明： 在低功耗电路或精密应用中需考虑此参数。
绝对最大额定值 (Absolute Maximum Ratings)：
- 定义： 包括 Pz max, Iz max, Izm，以及不损坏器件的最高结温 (Tj max, 通常 150°C 或 175°C) 和存储温度范围等。工作时不能超过任何一项最大额定值。

总结： 选择稳压二极管时，最核心的关注点是 Vz, Iz max, Pz max, 和 Rz。Vz 决定了稳压值，Iz max 和 Pz max 决定了器件的功率处理能力和电路设计的电流限制要求，Rz 反映了稳压性能的好坏（越小越好）。温度系数 (TC) 则在高温性能要求高的应用中尤为重要。