substrates (FGS)），提升了红光氮化镓 (InGaN)Micro LED器件的效率和阵列均匀性。研究人员声称，这是首个蚀刻定义台面尺寸小于5μm的InGaN红光Micro LED。

随着科技的不断发展，可见光InGaN（氮化铟镓）激光二极管作为一种先进的半导体发光器件，已逐渐成为激光技术领域的研究热点。

近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。

2020年，晶能光电推出8英寸硅衬底InGaN红光外延技术，目前仍在持续研发以提升InGaN红光光效；2021年9月，晶能光电成功制备像素点间距为25微米、像素密度为1000PPI的硅衬底

将InGaN基激光器直接生长在硅衬底材料上，为GaN基光电子器件与硅基光电子器件的有机集成提供了可能。另一方面，自1996年问世以来，InGaN基激光器在二十多年里得到了快速的发展，其应用范围遍及

据报道，德国硅基氮化镓专家ALLOS Semiconductors宣布与沙特阿卜都拉国王科技大学（KAUST）研究团队达成合作，双方将共同研发高效硅基InGaN红色Micro LED。

日前，英国Micro LED公司Plessey发布新闻稿称，宣布开发出世界上首个硅基InGaN红光LED。