外延片和扩散片都是半导体制造过程中使用的材料。它们的主要区别在于制造过程和应用领域。 制造过程：

从保障外延片品质入手，提升Micro LED生产效率，降低生产成本外，应用更大尺寸的外

氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺，主要包括表面清洗、氮化

通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法（MOCVD）生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。

氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来，在国家政策支持下，我国氮化镓

氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化镓外延

LED外延片其实是衬底材料作用的，也就是说在使用一些照明产业当中，这种材料被广泛的运用于芯片加工。导体

近几年，“LED”一词热得烫手，国内LED技术与市场发展迅速，取得了外延片