芯片背面图
晶圆背面涂敷工艺对晶圆的影响
一、概述 晶圆背面涂敷工艺是在晶圆背面涂覆一层特定的材料,以满足封装过程中的各种需求。这种工艺不仅可以提高芯片的机械强度,还可以优化散热性能,确
2024-12-19 09:54:10
新思科技发布1.6纳米背面布线技术,助力万亿晶体管芯片发展
近日,新思科技(Synopsys)宣布了一项重大的技术突破,成功推出了1.6纳米背面电源布线项目。这一技术将成为未来万亿晶体管芯片制造过程中的关键所在。
2024-09-30 16:11:38
2nm突围,背面供电技术的首个战场
电子发烧友网报道(文/周凯扬)对于任何试图将半导体工艺推进至埃米级的晶圆厂而言,GAA和背面供电似乎都成了逃不开的两大技术。GAA和背面供电在满足芯片
2024-06-14 00:11:00
功率半导体器件芯片背面多层金属层技术的详细资料说明
本文阐运了功率半导体器件芯片背面需要多层金属层,才能满足芯片和底座问电学和散热的要求。讨论了多层金属层分布的选择原则和制备中的注意事项。表明该技
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佚名
2021-02-05 14:05:00
背面供电选项:一项DTCO研究
,整个配电网络被移至晶圆的背面。硅通孔(TSV)将电源直接从背面传送到正面,而无需电子穿过芯片正面上日益复杂的后道工序(BEOL)堆栈。
2023-09-05 16:39:38
背面电力传输 下一代逻辑的游戏规则改变者
背面电力传输打破了在硅晶圆正面处理信号和电力传输网络的长期传统。通过背面供电,整个配电网络被移至晶圆的背面。硅通孔 (TSV) 将电源直接从
2023-08-30 10:34:20
三星2nm,走向背面供电
背面实施流程已通过成功的 SF2 测试芯片流片得到验证。这是 2nm 设计的一项关键功能,但可能会受到三星、英特尔和台积电缺乏布线的限制,而是在晶圆背面
2023-07-05 09:51:37
英特尔在芯片中实现背面供电
英特尔表示,它是业内第一个在类似产品的测试芯片上实现背面供电的公司,实现了推动世界进入下一个计算时代所需的性能。PowerVia 将于 2024 年上半年在英特尔 20A 工艺节点上推出,正是英特尔业界领先的
2023-06-20 15:39:06
英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电,突破互连瓶颈
英特尔宣布在业内率先在产品级测试芯片上实现背面供电(backside power delivery)技术,满足迈向下一个计算时代的性能需求。作为英特尔业界领先的
2023-06-09 20:10:03
英特尔PowerVia技术率先实现芯片背面供电,突破互连瓶颈
英特尔率先在产品级芯片上实现背面供电技术,使单元利用率超过90%,同时也在其它维度展现了业界领先的性能。 英特尔宣布在业内率先在产品级测试芯片上
2023-06-06 16:22:00
华为P40 Pro背面图曝光,采用后置五摄像头设计
外媒GIZ曝光了华为P40 Pro的背面渲染图。渲染图显示华为P40 Pro后置五摄,其中有一个传感器为ToF镜头,整体相机模组的设计与坚果Pr
2019-12-26 14:31:12
换一换
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