如何突破芯片1nm瓶颈
欧洲启动1nm及光芯片试验线
高达14亿美元,不仅将超越当前正在研发的2nm工艺技术,更将覆盖从1nm至7A(即0.7nm)的尖端工艺领域。NanoIC试验线的启动,标志着欧
2025-01-21 13:50:44
麻省理工华裔研究出2D晶体管,轻松突破1nm工艺!
然而,前不久麻省理工学院(MIT)华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子晶体管,每个晶体管只有 3 个原子的厚度,堆叠起来制成的芯片工艺将轻松
2023-05-31 15:45:29
麻省理工华裔:2D 晶体管,轻松突破 1nm !
然而,前不久麻省理工学院(MIT)华裔研究生朱家迪突破了常温条件下由二维(2D)材料制造成功的原子晶体管,每个晶体管只有 3 个原子的厚度,堆叠起来制成的芯片工艺将轻松
2023-05-30 14:24:48
高效高功率同步整流升压DC-DC芯片AMT6802
ANT6802是一款高功率、高效率同步整流DC-DC升压芯片,该芯片具有2.8V至15V的宽输入电压范围。芯片本身具备10A的开关电流能力,并且
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佚名
2021-04-13 16:54:35
融合神经网瓶颈特征与MFCC特征的符合特征构造方法
针对梅尔频率倒谱系数(MrCC)语音特征不能有效反映连续帧之间有效信息的问题,基于深度神经网络相关性和紧凑性特征,提岀一种融合神经网瓶颈特征与MFCC特征的复合特征构造方法,提高语音的表征能力和建模
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佚名
2021-03-17 11:31:56
台积电1nm,如何实现?
在 VLSI 2021 上,imec 推出了 forksheet 器件架构,以将纳米片晶体管系列的可扩展性扩展到 1nm 甚至更领先的逻辑节点。
2022-11-01 10:50:42
换一换
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