芯片为什么不用锗 - 电子发烧友网

镓和锗是新兴的战略关键矿产，已被列入国家战略性矿产名录。中国在镓和锗的储量和出口方面都处于全球领先地位。

2023-07-10 15:35:10

镓和锗是构成半导体的重要材料，也是芯片制造的关键元素。其中氮化镓（GaN）化合物可用于手机、电脑的LED显示屏，也广泛用于照明、电源、通信等领域。而锗

2023-07-06 10:19:08

该公告规定了涉及金属镓、氮化镓、氧化镓、磷化镓、砷化镓、铟镓砷、硒化镓、锑化镓，以及金属锗、区熔锗锭、磷锗锌、

2023-07-04 17:21:35

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资料下载佚名 2025-11-26 14:50:49

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资料下载佚名 2025-09-15 16:38:24

资料下载余久恒 2021-07-31 11:38:11

ANT6802是一款高功率、高效率同步整流DC-DC升压芯片，该芯片具有2.8V至15V的宽输入电压范围。芯片本身具备10A的开关电流能力，并且

资料下载佚名 2021-04-13 16:54:35

硅管和锗管在特性上有很大不同，使用时应加以区别。我们知道，硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的，即硅管的正向电阻大，锗管的小。利用这一特性就可以

资料下载佚名 2020-06-30 17:54:00

具体的锗二极管参数可能会因不同的制造商和型号而有所差异。在选择和使用锗二极管时，建议参考具体型号的规格表，并根据应用需求选择合适的参数。

2023-07-04 16:32:47

锗二极管（Germanium diode）的死区电压约为0.2V至0.3V之间。在低电压下，锗二极管会呈现较高的电流流动特性，但一旦电压超过了死区电压，锗

2023-07-04 16:04:52

锗二极管和硅二极管的主要区别在于其特性参数不同，锗二极管的放大增益更高，但其截止频率更低，而硅二极管的放大增益更低，但其截止频率更高。

2023-02-19 16:12:46

硅基衬底上外延锗锡薄膜存在晶格失配和锡易分凝等难题，高质量高锡组分锗锡外延难度非常高。团队成员郑军副研究员长期聚焦锗锡光电子材料与器件研究工作。

2022-07-10 11:31:46

硅技术的迅猛发展使工程师们能够设计和创建出新型电路，这些电路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(异质结双极晶体管)和PHEMT技术才能达到，电路的核心就是锗化硅(SiGe)工艺

2019-07-30 07:56:50

：AWR1x和IWR1x。全新毫米波传感器产品组合中的5款器件都具有小于4厘米的距离分辨率，距离精度低至小于50微米，范围达到300米。同时，功耗和电路板面积相应减少了50%。且看单芯片毫米波传感器如何抛弃锗硅工艺，

2019-07-30 07:03:34

　　锗化硅技术(Silicon germanium)从20世纪80年代问世以来，是一种高于普通硅器件的高频半导体材料，应用领域非常广泛，尤其在新一代移动设备中，是良好的高功率放大器，例如：下变频

2019-05-28 06:06:21