11N120CND - 电子发烧友网

探索 HGTG11N120CND：高性能 N 沟道 IGBT 的卓越之选在电子工程领域，IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为关键的功率半导体器件，广泛应用于各种高电压开关场景。今天，我们将深入探讨

2026-04-22 14:20:24

电子发烧友网为你提供AIPULNION(AIPULNION)ZDD120-48S12N 相关产品参数、数据手册，更有ZDD120-48S12N 的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，ZDD

2025-03-21 18:57:22

HGTG11N120CND - 43A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode - Intersil Corporation

2022-11-04 17:22:44

AP120N04F40V n沟道增强模式MOSFETAP120N04F采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和栅极电压低至10

资料下载 aalele 2025-01-10 15:14:48

资料下载轻舞飞扬2016 2022-06-22 15:05:13

资料下载台信电气 2021-09-14 11:47:12

资料下载台信电气 2021-09-14 11:45:18

资料下载台信电气 2021-09-14 11:21:45

HGTG5N120CND - 25A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode - Intersil Corporation

2022-11-04 17:22:44

编辑-Z25N120详细参数：型号：ASEMI场效应管25N120集电极-发射极电压（VCES）：1200V栅极-发射极电压（VGES）：±20V集电极电流（IC）：25A脉冲集电极电流（ICM

2022-01-04 17:03:28

编辑-Z15N120详细参数：型号：MOS管15N120集电极-发射极电压（VCES）：1200V栅极-发射极电压（VGES）：±20V集电极电流（IC）：15A脉冲集电极电流（ICM）：45A

2021-12-28 16:58:50

编辑-Z25N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。25N120的脉冲二极管正向电流(IFM)为150A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55

2021-12-18 16:10:55

编辑-Z15N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。15N120的二极管浪涌正向电流(IFM)为45A，G-E漏电流(IGES)为100nA，其工作时耐温度范围为-55

2021-12-17 17:01:03

编辑-Z40N120在TO-220封装里引出3个引脚，是一款低功耗场效应管。40N120的脉冲集电极电流(ICM)为160A，G-E漏电流(IGES)为250nA，其工作时耐温度范围为-55~150

2021-12-03 16:38:53

编辑-Z25N120在TO-247封装里采用的GPP芯片材质，是一款大电流MOS管。25N120的脉冲集电极电流(ICM)为75A，G-E极漏电流(IGES)为100nA，25

2021-10-21 17:50:20