本文从微焊料厂家视角出发，剖析了烧结铜受企业青睐的原因。在成本上，其价格远低于烧结银，具有极大成本优势；性能方面，导电导热性优异，热稳定性和可靠

随着电力电子技术向高频、高效、高功率密度方向发展，碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等功率器件在众多领域得到广泛应用。在这些

随着碳化硅（SiC）功率器件在电力电子领域的广泛应用，其高效、耐高压、高温等特性得到了业界的广泛认可。然而，要充分发挥SiC芯片的性能优势，封装技术起着至关重要的作用。在SiC芯片封装过程中，银

在半导体功率模块封装领域，互连技术一直是影响模块性能、可靠性和成本的关键因素。近年来，随着纳米技术的快速发展，纳米银烧结和纳米铜

随着第三代半导体材料如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的快速发展，功率器件的性能要求日益提高。传统的封装材料已无法满足功率

大面积烧结银AS9387成为碳化硅功率器件封装的首选

TPAK SiC优选解决方案：有压烧结银+铜夹Clip无压烧结银

银 （Ag）/铜 （Cu） 压力烧结（见图 1）是一种应用于粉末材料（即纳米颗粒）的热处理工艺，以提供更高的强度、完整性和导电性。据 AMX 称，烧结