Gate，简称HKMG）工艺。HKMG工艺作为现代集成电路制造中的关键技术之一，对提升芯片性能、降低功耗具有重要意义。本文将详细介绍HKMG工

本文简单介绍了高K金属栅极的结构、材料、优势以及工艺流程。   High-K Metal Gate(HKMG)技术是现代半导体制造中的关键技术之一，广泛应用于45nm、32nm、22nm及以下节点

随着集成电路工艺技术不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗，集成电路器件的特征尺寸不断按比例缩小，工作电压不断降低。为了有效抑制短沟道效应，除了源漏的结深不断降低和沟道的掺杂浓度也不断增加外，栅氧化层（Gate oxide）的厚度也在不断降低，从而提高栅电极电容，达到提高栅对沟道的控制能力，同时调节阈值电压。栅氧化层的厚度是

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一个主要问题。从下图看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，leakage power仍然在总功耗中占据主导地位。

SK海力士全球首次在移动端DRAM采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”*工艺，成功研发出了LPDDR5X（Low Power Double Data Rate 5X），并于近期