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sic功率器件高开关频率

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SiC功率器件的特点和优势

SiC(碳化硅)功率器件正逐渐成为现代电力电子系统中的重要技术,其相较于传统的硅(Si)

2024-12-05 15:07:40

碳化硅(SiC)功率器件开关性能比较

过去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的

2024-05-30 11:23:03

一文解析SiC功率器件互连技术

和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关

2024-03-07 14:28:43

SiC碳化硅功率器件测试哪些方面

SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、

资料下载 张浩 2023-02-16 15:28:25

IGBT功率半导体器件

MOSFET的高输入阻抗和GTR 的低导通压降两方面的优点。 IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率,有逆变和变

资料下载 贾小龙 2023-02-15 16:26:32

基于DSP的开关功率放大器控制方案

首先,论文分析了适合于开关功率放大器的控制方案。文章以多电平电路为基础,以改善输出波形质量及提高输出频率为条件,从众多的控制方案中选择出三角载波

资料下载 佚名 2021-05-13 09:54:02

SiC功率器件模块应用笔记

的 3 倍,而且在器件制造时可以在较宽的范围内实现必要的 P 型、N 型控制,所以被认为是一种超越 Si 极限的用于制造功率器件的材料。

资料下载 姚小熊27 2021-04-20 16:43:09

宽禁带半导体SiC功率器件有什么样的发展现状和展望说明

先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC

资料下载 佚名 2021-02-01 11:28:46

SiC和Si的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于

2023-04-13 11:01:16

什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件

元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和

2023-02-21 16:01:16

SiC-MOSFET器件结构和特征

比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗。  而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC-MOSFET替代

2023-02-07 16:40:49

SiC功率器件的发展及技术挑战

碳化硅(SiC)被认为是未来功率器件的革命性半导体材料;许多SiC

2022-11-06 18:50:47

GaN和SiC区别

栅极电荷,它可以使用高开关频率,从而允许使用较小的电感器和电容器。 相较于SiC

2022-08-12 09:42:07

具有SiC和GaN的功率

电力电子将在未来几年发展,尤其是对于组件,因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WB

2022-07-27 10:48:41

SiC MOSFET:经济高效且可靠的功率解决方案

家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外,几家领先的功率

2019-07-30 15:15:17
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