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KUU推出Trench MOSFET产品K060P03M
KUU推出采用DFN3.3*3.3-8L无铅塑料封装的P-TrenchMOSFET产品K060P03M。DFN3.3*3.3-8L无铅塑料封装占位面积仅有3.3*3.3mm，高度仅为0.65mm
2023-04-12 14:43:41
基于仿真工具对100VN TrenchMOSFET器件设计研究
沟槽（Trench）MOSFET 是一种新型垂直结构的 MOSFET 器件，是从传统平面 MOSFET 结构基础上优化发展而来，Trench MOSFET 由于将沟槽深入硅体内，在设计上可以并联更多的元胞，从而降低导通电阻（Ron），实现更大电流的导通和更宽的开关速度。
2022-10-08 09:37:50
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