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SiC MOSFET 米勒平台震荡的根源分析与 Layout 优化策略宽禁带（Wide Bandgap, WBG）半导体材料的突破性进展，尤其是碳化硅（SiC）技术的成熟与商业化，正在深刻重塑现代

2026-03-30 07:28:42

米勒效应的影响：MOSFET的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs）的充放电过程；当Cgs达到门

2025-03-25 13:37:58

《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家

2025-01-04 12:30:36

正弦波进行叠加，那么，我们MOSFET由于米勒平台时间短，dv/dt就很大，就表示开关波形的沿越陡，棱角越分明。一般我们所说的基波是一个标准的正弦波，dv/dt产生的开关波形，可以由这个基波和很多个高次谐

资料下载松山归人 2025-04-19 16:05:30

上面是一个正常情况下，电容两端电压的充电波形。但事实上，MOSFET 除了在 GS 端存在电容之外，它还有 GD 电容，DS 电容。那么，GD 之间的电容，我们把它称之为米勒电容，实际上

资料下载松山归人 2025-04-17 13:25:17

资料下载 chao2015 2022-03-17 15:52:38

资料下载 chao2015 2022-03-17 15:32:12

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资料下载张杰 2021-04-05 08:41:18

各位小伙伴，不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言

2024-12-19 11:39:12

本文主要介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解

2023-05-16 09:47:34

米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数

2023-05-15 16:11:32

对于MOSFET，米勒效应（Miller Effect）指其输入输出之间的分布电容（栅漏电容）在反相放大作用下，使得等效输入电容值放大的效应。由于米勒

2023-04-26 09:20:53

，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区;但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒

2022-04-19 10:28:27

本文介绍了米勒效应的由来，并详细分析了MOSFET开关过程米勒效应的影响，帮助定性理解

2022-03-10 14:44:18

，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒

2021-01-27 15:15:03