GaN功率电子器件的技术路线
电子说
1.2w人已加入
描述
目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。Ga N基垂直和平面导通型器件的结构简图如图表2所示。
(a) 垂直导通型GaN MOSFET
(b) 平面导通型GaN MOSFET
图表2 基于GaN自支撑衬底的垂直导通型MOSFET 和 基于Si衬底的平面导通型GaN MOSFET的结构图
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
报名 | 宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会2017-07-11 0
-
电力电子器件的问题2018-01-23 0
-
功率电子器件的介绍2018-05-08 0
-
IFWS 2018：氮化镓功率电子器件技术分会在深圳召开2018-11-05 0
-
中国光电子器件产业技术发展路线图(2018-2022年2018-12-18 0
-
功率电子器件的性能2019-04-10 0
-
六种功率电子器件浅析2019-04-10 0
-
(二)电子器件、电子技术和电子电路 精选资料分享2021-07-30 0
-
平面磁件如何提高电力电子器件性能2023-09-06 0
-
电力电子器件试卷2009-01-12 1048
-
功率电子器件及其应用要求2009-05-12 811
-
功率电子器件概览2009-05-12 1392
-
gan基电力电子器件2020-03-16 3690
-
国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件2022-12-15 806
-
功率GaN的多种技术路线简析2024-02-28 1970
全部0条评论
快来发表一下你的评论吧 !
