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两种通用的RF偏置方式详细介绍

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.28 MB | 2020-07-07

无人岛

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　　为得到适当的RF性能，基站里的功率放大器需要偏置。文本阐述了两种通用的RF偏置方式，分析了他们的特性，并给出了用现有IC实现的方法。现在的基站放大器通常选择横向DMOS （LDMOS） MOSFET作为功率器件，本文也用它来借以阐释偏置技术。

　　RF类别和偏置

　　RF电路中的LDMOS放大器表现出不同程度的非线性，取决于它的直流偏置电平，该电平上叠加了RF波形。也就是说，如果保持恒定的RF门极信号，输出电流（Iout）的谐波成分会随着加在LDMOS器件门极上的直流偏压的变化而改变（图1）。LDMOS放大器输出电流的谐波成分是一个非常重要的问题，因为在RF负载上，它所产生的干扰功率会影响本波段（带内干扰）或邻近波段 （带外干扰）。

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