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半导体的UBM蚀刻详细介绍

消耗积分:0 | 格式:docx | 大小:0.19 MB | 2020-09-29

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　　图1为覆晶（Flip Chip）技术沈积锡铅凸块之流程图，在电镀积锡铅凸块之后会进行光阻去除（PP Stripping）和UBM蚀刻，其中UBM蚀刻是以凸块或光阻当作蚀刻屏蔽层（Etching mask），然后将未被覆盖之UBM金属层作蚀刻去除，以隔离个别凸块。它是覆晶技术中的一个关键制程，因为UBM蚀刻不完全，将会引起电性短路（Short）；反之如果UBM过度蚀刻，则会造成底切（Undercut）问题，甚至蚀刻到凸块本身，最后影响电子组件之可靠度。

　　在UBM蚀刻制程中，根据不同的UBM金属层种类和厚度、蚀刻液之化学特性、凸块图案、必须灵活性地搭配不同的蚀刻方式，以达到最佳之蚀刻均匀性。

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