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宽禁带半导体材料与器件应用的新进展学习课件
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2021-03-08
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工作原理（发射极零偏压、集电极正偏压）基区注入光脉冲时，载流子在能带之间跃迁，并导致电子空穴倍增，当基区中的光生电子向集电区移动时，空穴就会复合掉一小部分从发射极注入的电子，大多数未被复合的电子就到达集电极随着光脉冲的断开，基区中载流子快速复合，PSD便处于关态，同时，异质pn结将承受很大的发射极、集电极电压
随着宽禁带半导体材料工艺技术的不断进步、成熟，新结构的功率半导体器件的应用越来越广泛。而GaN-A|N-4 H-SIC OT PSD较好的开关特性、增益以及阻断特性表明由于GaN较短的载流子寿命和很好的光吸收效率（而这对高频率功率电子器件十分关键）和光吸收能力（这对减少激光成本非常重要）以及碳化硅很高的热导率以SC作为衬底的GaN外延材料必将在未来的功率半导体器件、高频、高压功率器件、以及光电领域中广泛应用。
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