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TP65H035BS氮化镓场效应晶体管英文手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.23 MB | 2022-03-30

HTPH

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　　TP65H035BS 650V，35mΩ 氮化镓（GaN）场效应晶体管增强模式常关设备。TransphormGaN FET通过更低的栅极电荷提供更好的效率，更快的切换速度和更小的反向恢复充电，与传统充电相比具有显著优势硅（Si）器件。

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