NP2307SR 20V p通道增强模式MOSFET

描述

NP2307SR采用了先进的沟槽技术

提供卓越的RDS(ON)

一般特征

，低栅极电荷和

工作电压低至1.8V。这

该器件适用于作为负载开关或PWM

应用程序。

VDS = -20 v, ID

R

= 9

DS(上)(Typ) = 22米Ω@VGS

R

= -2.5 v

DS(上)(Typ) = 17 mΩ@VGS

高功率和电流处理能力

= -4.5 v

获得无铅产品

表面安装包

应用程序

PWM程序

负荷开关

包

SOP-8

订购信息  
 

绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
 

电特性(除非另有说明，TA=25℃)
 

热特性
 

A: RθJA的值是用设备安装在1英寸2的FR-4板上，用2oz测量的。铜，在静止的空气环境中

与助教

B: R

= 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。目前的评级是基于

t≤10s热阻额定值。

θJA是从结到引线RθJC并引线到周围的热阻抗之和。


审核编辑 黄昊宇