DW03D 单节锂离子/锂聚合物电池保护IC 内置MOS

概述

DW03D产品是单节锂离子/锂聚合物可充电电池组保护的高集成度解决方案。DW03D包括了先进的功率MOSFET，高精度的电压检测电路和延时电路。

DW03D具有非常小的TSS08-8的封装,这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的可充电电池组应用。

DW03D具有过充，过放，过流，短路等所有的电池所需保护功能，并且工作时功耗非常低。

该芯片不仅仅是为手机而设计，也适用于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供电的各种信息产品的应用场合。

特点

内 部集 成等 效 45mΩ-60mΩ 的 先进 的功 率MOSFET；

过充电流保护；

3 段过流保护：过放电流 1、过放电流 2（可选）、负载短路电流；

充电器检测功能；

延时时间内部设定；

高精度电压检测；

低静态耗电流：正常工作电流 3.8uA

兼容 ROHS 和无铅标准。

采用 TSSOP-8 封装形式塑封。

应用

单芯锂离子电池组

锂聚合物电池组

功能描述

DW03D监控电池的电压和电流，并通过断开充电器或负载，保护单节可充电锂电池不会因为过充电压，过放电压，过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在制定的范围内。MOSFET已内置，等效电阻典型值为50mΩ

正常工作模式

如果没有检测到任何异常情况，充电和放电过程都将自由转换。这种情况称为正常工作模式。

过充电压情况

在正常条件下的充电过程中，当电池电压高于过充检测电压(VCU)，并持续时间达到过充电压检测延迟时间(tCU)或更长，DW03D将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过充电压情况。

以下两种情况下，过充电压情况将被释放：

1、当电池电压低于过充解除电压 (VCL), DW03D控制充电的FET导通，回到正常工作模式下。

2、当连接一个负载并且开始放电, DW03D控制充电的FET导通回到正常工作模式下。解除机制如下： 接上负载后放电电流立刻流过充电FET内部寄生二极管开始放电，BATT-电压升到0.7V， DW03D 检测到这个电压后，当电池电压等于或低于过充检测电压(VCU), DW03D 立刻恢复到正常工作模式，另外，在接上负载放电时,如果BATT-电压等于或低于过流1检测电压， 芯片也不会恢复到正常状态。

注：当电池被充电到超过过充检测电压(VCU) 并且电池电压没有降到过充检测电压 (VCU)以下，即使 加上一个可以导致过流的重载, 过流1和过流2都不会工作，除非电池电压跌到过充检测电压(VCU)以下。 但是实际上电池是有内阻的，当电池接上一个重载，电池的电压会立即跌落，这时过流1和过流2就会动作。短路保护与电池电压无关

过放电压情况

在正常放电过程中，当电池电压降到过放检测电压(VDL)以下的时候， 并持续时间达到过放电压检测延时间(tDL) 或更长， DW03D将切断电池和负载的连接，停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当控制放电的FET被关断， BATT- 通过内部BATT-与VDD之间的RBATT-D 电阻被拉到高电平。当 BATT- 电压高于负载短路检测电压, 芯片的耗电流会降到休眠电流 (IPDN)。这种情况被称为休眠情况。在过放和休眠情况 中BATT- 和VDD之间由 RBATT-D电阻连接。当一个充电器连接上并且BATT-和VDD之间电势差变到1.3 V(典型值) 或更高 (负载短路检测电压)时休眠状态解除。这时放电FET仍然断开。当电池电压变成过放检测电压(VDL) 或更高 (见备注)，DW03D 使 FET 导通回到正常工作模式。.

过放电流情况

正常工作模式下，当放电电流等于或高于设定的值（BATT-电压等于或高于过电流检测电压）并且时间持续超过过电流检测延时时间时， DW03D关断放电FET停止放电。这个称为过放电流情况（包括过放电流1，过放电流2和负载短路电流）。过电流情况下BATT-和GND 间内部连接了 RBATT-S 电阻 。当一个负载连接上， BATT-电压等于VDD流过负载电阻后的电压。根据切断负载等行为，B+和B-之间的阻抗增大至大于等于能够自动恢复到正常状态的阻抗，过放电流状态将被解除，回到正常状态。由于BATT-和GND之间连接RBATT-S电阻，当负载断开， BATT- 电压被拉到地电位。当侦测到 BATT-电位低于过流1检测电压(VIOV1)，芯片回到正常状态。

负载短路情况

如果BATT-电压高于短路保护电压(VSHORT),DW03D将与负载断开停止放电。 延迟时间不超过 tSHORT。当BATT-电压高于短路保护电压(VSHORT)时，例如负载被移除，负载短路情况将解除。

审核编辑 黄昊宇