单电源排序器对负电压进行排序

以下应用笔记讨论如何使用MAX6819/MAX6820电源排序器对正负电源进行排序。

将多个数字和模拟功能组合到单个芯片中的高度集成的系统芯片通常需要多个电源。电源排序不当会导致器件闩锁、器件启动不正确或长期可靠性下降。MAX6819/MAX6820为两个或多个电源的排序提供了一种简单、可靠、紧凑的方式。

遗憾的是，MAX6819/MAX6820为单电源器件，无法对低于器件地电位的电压进行排序。MAX6819/MAX6820使用外部N沟道MOSFET在电路之间切换次级电源。MOSFET 栅极驱动，栅极，摆动在 V 之间FCW+ 5.5V 和 GND，因此，在负电源电压下，MOSFET 无法关闭。图1所示为MAX6819/MAX6820在±5V电源电路中采用的示例。

当主电源 （VCC1） 低于切换门限时，栅极被驱动至 GND。 7.5V 齐纳二极管 （D1） 不导通，允许电阻 R1 将 MOSFET 的栅极拉至负电源。这导致VGS = 0，禁用MOSFET。一旦VCC1超过切换门限，GATE就会驱动高电平。VCC1 = VCC2 = +5V时，VGATE（高电平） = +10.5V。当D1两端的压降为7.5V时，VG = +3V，提供VGS = +8V。 选择7.5V齐纳二极管是因为它提供8V栅极驱动，足以将MOSFET上的IR压降降至最低。通过选择较低电压齐纳二极管可以进一步降低RON，但要注意栅极电流。尺寸为R1，使得产生的VGS不会导致栅极电流消耗大于5μA。较大的负载将降低VGATE（HIGH），从而降低器件完全增强MOSFET的能力。

审核编辑：郭婷