采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,7.2mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL

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采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D 中的 N 沟道 40 V、7.2 mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN6R1-40HL

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双N沟道40 V，13 mOhm逻辑电平MOSFET LFPAK56D（半桥配置）产品数据表

N 沟道 LFPAK 40 V 2.8mOhm 标准电平 MOSFET-PSMN2R6-40YS

采用 NextPower 技术的 LFPAK中的N沟道 40V,1.55 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R6-40YLC

采用 NextPower 技术的 LFPAK中的N沟道 40V,1.8 mΩ 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R8-40YLC

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK56中的N沟道 40V,1.4 mΩ、240A 逻辑电平 MOSFET-PSMN1R4-40YLD

采用 NextPower-S3 技术的 LFPAK33中的N沟道 40V,5 mΩ、逻辑电平 MOSFET-PSMN5R0-40MLH

LFPAK56中的N沟道 40V,7.0mOhm 标准电平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H

采用重复雪崩技术的 LFPAK56D中的双N沟道 40V,29mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K25-40RA

LFPAK56D（半桥配置）中的双N沟道 40V,13mOhm 逻辑电平 MOSFET-BUK9V13-40H

LFPAK56D中的双N沟道 40V,13mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K13-40H

双N沟道 40V,4.2mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN4R2-40VSH

双N沟道 40V,13mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-PSMN013-40VLD

采用 NextPower-S3 Schottky-Plus 技术的 LFPAK56中的N沟道 40V,1.4mOhm、240A 标准电平 MOSFET-PSMN1R4-40YSH

双N沟道 40V,4.2mOhm 标准电平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半桥配置）-BUK7V4R2-40H

采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,13.6mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN014-40HLD

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,8.5mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN8R5-40HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 100V,24.5mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN025-100HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 100V,27.5mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN028-100HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 100V,37.6mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN038-100HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 100V,29mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN029-100HL

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 100V,45mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN045-100HL

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 60V,9.3mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN9R3-60HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 60V,10mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN013-60HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 60V,14mOhm、标准电平 MOSFET-PSMN014-60HS

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 40V,9.4mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN8R0-40HL

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 60V,11.5mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN011-60HL

采用 TrenchMOS 技术的 LFPAK56D中的N沟道 60V,12.5mOhm、逻辑电平 MOSFET-PSMN013-60HL

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