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功率半导体器件原理分析：PN、BJT、MOSFET、IGBT

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.11 MB | 2023-02-15

杨雪

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一、PN结各项参数对阈值电压的影响1.改变掺杂浓度对PN二极管的影响2.改变P区和N区的厚度对PN二极管的影响3.pn结器件加n+衬底的原因降低成本降低接触电阻降低导通电压在获得同等击穿电压的条件下，厚度更薄 二、BJT各项参数对电流增益的影响1.P基区掺杂浓度基区浓度越大，在同等Ib的情况下，吸引发射区扩散到基区的电子就越容易在基区发生复合，导致扩散到集电区过的电子就越少。
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