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碳化硅MOSFET制造后炉前清洗的湿处理

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.24 MB | 2023-02-20

王尚岱

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碳化硅(SiC)器件制造技术与硅制造有许多相似之处，但识别材料差异是否会影响清洗能力对于这个不断发展的领域很有意 义。材料参数差异包括扩散系数、表面能和化学键强度，所有这些都可以在清洁关键表面方面发挥作用。这项工作将100毫米 或150毫米4H碳化硅晶片经过汞探针电容电压(MCV)绘图后的痕量表面污染水平与后续清洗后的水平进行了比较。在MCV期 间，痕量金属如汞、铁和镍被可控地添加，并且显示出多种清洁方法可以将碳化硅表面恢复到低于5x1010原子/cm2的清洁度水 平。讨论了这些清洗在集成器件工艺流程中的位置以及成本比较。
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