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安森美FGH60N60SMD原厂IGBT手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.23 MB | 2023-02-24

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安森美FGH60N60SMD原厂IGBT参数： 型号：FGH60N60SMD 集电极到发射极电压（VCES）：600V 栅极到发射极电压（VGES）：±20V 收集器电流（IC）：120A 脉冲二极管最大正向电流（IFM）：180A 最大功耗（PD）：600W 储存温度范围（TSTG）：−55 to +175℃ G−E泄漏电流（IGES）：±400nA 集电极到发射极饱和电压（VCE(sat)）：2.5V 输出电容（Coes）：270pF 二极管正向电压（VFM）：2.1V 二极管反向恢复时间（Trr）：30NS
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