国芯思辰｜基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D10120E替代C4D10120E用于IGBT钳位，反向电压1200V

在许多工业设备中通常都会采用IGBT来作为主功率器件，能够有效的减少开关损耗，提高逆变器的效率，因此为了保护IGBT能够正常稳定的工作，设计师们会给IGBT做钳位保护设计。

 

有工程师在钳位设计中，考虑到外围电路问题，打算采用肖特基二极管来实现通过米勒效应，将二极管接到IGBT门级进行钳位。

 

本文主要讲到基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D10120E，该芯片可替代WOLFSPEED的C4D10120E、英飞凌的IDM10G120C5、ST的STPSC10120、安森美的FFSD10120A，具备极低的反向恢复电流，反向电压1200V，额定电流为10A，采用TO-252-2L封装，非常适合高频电源开关应用。

肖特基二极管在IGBT钳位中的应用
 

B1D10120E在IGBT钳位电路中的优势：

1.反向电压1200V，可承受75A浪涌电流，可适用于大功率，大电流场合；

2.自身功率耗散最高可达241W，可延长其寿命周期，具有更高的稳定性；

3.反向恢复时间短，开关频率高，能够有效提升整体效率；

4.工作结温-55℃~175℃，能够保证恶劣环境下正常工作。

 

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