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CMPA601C025F微波集成电路规格书

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:1.57 MB | 2023-08-03

陈月言

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CMPA601C025F 是一种氮化镓 （GaN） 高电子迁移率基于晶体管（HEMT）的单片微波集成电路（MMIC） 在碳化硅 （SiC） 衬底上，使用 0.25μm 栅极长度制造工艺。该半导体提供 25 瓦的功率从 6 到 12 GHz 的瞬时带宽。氮化镓MMIC 采用热增强型 10 引脚 25 mm x 9.9 mm 封装金属/陶瓷法兰封装。它提供高增益和卓越的性能效率，采用 50 欧姆的小尺寸封装。
特征
• 34 dB 小信号增益
• 40 W 典型 PSAT
• 工作电压高达 28 V
• 高击穿电压
• 高温操作
• 尺寸 0.172 x 0.239 x 0.004 英寸
 

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