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利用NSI810X高效快速实现IIC设备隔离兼容替代ADUM1250/ISO1540/SI8600A
利用NSI810X高效快速实现IIC设备隔离
IIC总线结构简单且易于实现，广泛应用于设备或模块间的连接。在某些数据采集和电源控制设备中，必须把IIC主设备与一个或多个从设备隔离开来，以便解决噪声、接地、安全等问题。本文主要介绍如何利用纳芯微电子(NOVOSENSE)生产的NSi810x系列芯片高效快速的实现IIC设备隔离。
首先我们先来了解下NSi810x系列芯片。NSi810x系列芯片为兼容IIC接口的高可靠性双向数字隔离器，其符合AEC-Q100标准，具有高电磁抗扰度和低辐射的特性。NSi810x系列产品的主要性能指标如下：
-高达5000VRMS隔离电压
-I2C时钟速率：高达2MHz
-供电电压范围：2.5V~5.5V
-高CMTI:150kV/us
-芯片级ESD:HBM高达±6kV
-高系统级EMC性能：增强型系统级抗ESD、EFT、浪涌能力
-隔离带寿命：>60年
高可靠性双通道双向I2C数字隔离器
NSi8100x系列是高可靠性的双向l2C数字隔离器。提供符合UL1577的多种电气隔离耐压(3.75kVrms, 5kVrms)，且具有高电磁抗扰度和低辐射的特性。支持I2C时钟高达2MHZ，共模瞬态抗干扰度(CMTI)高达150kV/μs。宽供电范围可直接对接大多数MCU等数字接口,并且可以方便的提供双向电平转换功能。出色的系统级电磁兼容(EMC)性能,增强了使用的可靠性和稳定性。
产品特性
•高达3750Vrms的隔离电压
•I2C时钟速率: 高达2MHz
•宽电源供电范围:2.5V至5.5V
•高共模瞬态抗扰度(CMTI):±150kV/μs
•高系统级EMC性能:系统级静电放电(ESD),快速群脉冲(EFT),抗浪涌保护
•芯片级ESD性能: HBM: ±6kV
•隔离栅寿命:>60年
•超低功耗：1.5mA/通道(1Mbps)
•低传输延时：<15ns
•宽工作温度范围:-40C~125C
•符合RoHS的封装：SOP8, SOW16
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