×

NP2302FVR-J-G SOT-23 20V N通道增强模式MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.81 MB | 2023-11-02

深圳市百盛新纪元半导体有限公司
  • 800内容
  • 29w+阅读
  • 48粉丝

概述
NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度电池的超低电阻设计。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=20V，ID=2A
RDS(ON)(Typ.)=50mΩ @VGS=4.5V
RDS(ON)(Typ.)=68mΩ @VGS=2.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包

应用
PWM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23

下载并关注上传者 开通VIP，低至0.08元下载/次

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !