Toshiba推出适用于USB设备和电池组保护的30V N沟道共漏MOSFET

​Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。

到目前为止，Toshiba的N沟道共漏MOSFET系列产品一直聚焦12V产品，主要用于保护智能手机的锂离子电池组。此次发布的30V产品可满足更多电压高于12V的应用，例如USB充电设备电源线的负载开关以及笔记本电脑和平板电脑中锂离子电池组的保护。

要实现具有低漏极-源极导通电阻(RDS(ON))的双向开关，需要两个具有低RDS(ON)的3.3×3.3mm或2×2mm MOSFET。Toshiba的新产品采用全新的小巧轻薄封装TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）），在单封装共漏配置下具备9.9mΩ（典型值）的低源极-源极导通电阻(RSS(ON))。

USB Power Delivery (USB PD)支持15W (5V / 3A)到最大240W (48V / 5A)的电源，专为需要大功率电源的设备而开发。USB PD规定了交换供电端和接收端的角色互换功能，并要求具有USB充电功能的设备支持双向供电，以便两边都能供电和受电。新产品是一种支持双向供电且安装面积较小的N沟道共漏MOSFET。

将该产品与Toshiba的TCK42xG系列驱动器IC相结合，可形成一个具有防回流功能的负载开关电路或一个可在“先合后断”(MBB)和“先断后合”(BBM)之间切换操作的功率多路复用电路。Toshiba今天发布了基于该产品组合的功率多路复用电路（使用共漏极MOSFET）的参考设计。使用该参考设计将有助于缩短产品设计和开发时间。

Toshiba将继续扩大其产品阵容并改进特性，以提高设计灵活性。

应用

智能手机

笔记本电脑

平板电脑等

特点

高额定源-源电压：VSSS=30V

低导通电阻：RSS(ON)=9.9mΩ（典型值）(VGS=10V)

共漏极连接结构可实现双向导通

小巧轻薄的TCSPAG-341501封装：3.37mm×1.47mm（典型值），t=0.11mm（典型值）

主要规格

（除非另有说明，否则Ta=25°C）
型号				SSM10N961L
极性				N沟道×2
内部连接				共漏极
绝对 最大 额定值	源-源电压VSSS (V)			30
	栅-源电压VGSS (V)			±20
	源电流（直流）IS (A)[1]			9.0
	源电流（直流）IS (A)[2]			14.0
电气 特性	源-源击穿电压V(BR)SSS (V)	VGS＝0V	最小值	30
	源极-源极导通电阻RSS(ON) (mΩ)	VGS＝10V	典型值	9.9
		VGS＝4.5V	典型值	13.6
封装	名称			TCSPAG-341501
	尺寸(mm)		典型值	3.37×1.47, t=0.11
样品查询与供应情况				在线购买

备注：
[1] 器件安装在一块25mm×27.5mm，t=1.6mm的铜焊盘上：18µm，407mm2，FR4玻璃环氧板
[2] 器件安装在一块25mm×27.5mm，t=1.6mm的铜焊盘上：70µm，687.5mm2，FR4玻璃环氧板

审核编辑：汤梓红