X-FAB首创200V SOI晶圆代工技术

　　X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，这是180奈米200V MOS的独立沟槽电介质（SOI）代工制程，其完全隔离型的模组化制程让不同电压的区块能够整合在单一晶片上，大幅减少了印刷电路板的元件数量，也避免栓锁效应（latch-up）更提供对抗电磁干扰的卓越性。

　　XT018 SOI技术是市面上唯一的180nm代工制程，适用於100V到200V电压范围的应用。XT018适合需要双向隔离的消费性、医疗、通讯和工业应用，例如PoE、超音波传送器、压力作动器与电容驱动的微机械系统。

　　这项新技术以1.8V/5.0V的I/O与多达6层金属的180nm制程，结合了完全隔离的MOS元件来实现高压汲极（high-voltage drain）。独特的制程架构运用超接面（super-junction）结构与专利型的高压端隔离MOS元件，实现精巧的Ron设计，100V NMOS元件为0.3mm2、200V NMOS元件为1.1mm2。在low side与high side的操作中，HV MOS元件均拥有相同的特性参数。

　　XT018的制程模组中有5V-only的模组适用於类比的应用，还有HVnmos与HVpmos模组可分别选择。这项技术完全适用於-40℃到175℃的温度范围。

　　除了HV电晶体之外，XT018提供一层厚的金属层以支援大电流绕线、隔离型的10V MOS、基本的junction diodes与bipolar、中高阻值的poly电阻、高面积效益的MIM电容（2.2至6.6 fF/μm2），以及高压电容。超接面技术（super-junction）让rectifying diodes拥有20ns的逆向复原时间（reverse recovery time），也让整流器（rectifiers）与bootstrap电路能够有效地被整合到晶片上。

　　XT018 设计套件已经完备，设计人员可立即着手设计。