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LMG3410 600-V 12-A Single Channel GaN Power Stage

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:677 KB | 2016-10-17

张瑾

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The LMG3410 Single-Channel Gallium-Nitride (GaN)Power Stage contains a 70-mΩ, 600-V GaN power transistor and specialized driver in an 8-mm by 8-mm QFN package. Our Direct Drive architecture is used to create a normally-off device while providing the native switching performance of the GaN power transistor.

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