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宽输入、高输出电流的非隔离降压转换器的设计采用Egan FET
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宽输入、高输出电流的非隔离降压转换器的设计采用Egan FET
设计和建设隔离，降压直流/直流转换器具有宽输入电压范围和高输出电流在标准5 V输出使用硅MOSFET可以实现，但性能有限，特别是在低负载和高输入电压。更重要的是，随着硅的成熟，挤压更多的汁液从宽输入降压DC / DC转换器在轻负载时，可能是具有挑战性的，如果输入电压高。与硅MOSFET，增强型氮化镓基场效应晶体管（Egan）承诺过的输入和输出参数的一组相同宽的负载提供更好的性能。事实上，因为这些宽带隙器件工作在更高的速度与更高的击穿电压和较低的导通电阻，它们可以提供更高的效率，在广泛的负载变化，同时最大限度地减少空间和成本。
由于伊根FET是建立在硅衬底上，成本差异正在缩小，商业加速提高。高效的功率转换（EPC），例如，已经在基于硅的伊根FET在过去的四年里提供氮化镓和继续扩大其产品组合。此外，帮助设计师从硅伊根FET，公司建有许多评估板与伊根FET在特定的降压转换器设计硅MOSFET的性能比较（见高新区的文章。“开发板使评价伊根FET简单”）。此外，EPC已经建立了许多演示板，提供了一个完整的参考设计，使用这些宽带隙器件在特定的DC / DC转换器电路。
For example， in this article， we will investigate a wide-input， 20 A non-isolated buck DC/DC converter design using EPC’s eGaN FETs， such asEPC2001 and EPC2021， over a wide-load variation. The buck controller used in this design is Linear Technology’s LTC3891， which integrates the driver and uses a constant frequency current-mode architecture. This DC/DC buck converter is designed for distributed-power solutions in telecom， industrial， and medical applications.
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