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WSD20L75DN P DFN3.3X3.3EP -20V

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:868KB | 2017-07-28

林小辉

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WSD20L75DN P DFN3.3X3.3EP -20V -50A

　　General Description

　　Description The WSD20L75DN uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS（ON） with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.

　　Features

　　High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation

WSD20L75DN P DFN3.3X3.3EP -20V

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