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单晶硅太阳能电池结构与工艺仿真及其性能分析
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2017-09-21
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单晶 Si 太阳能电池一般有 p 型衬底上扩散 n型杂质和 n 型衬底上扩散 p 型杂质两种。在 Silvaco工艺仿真环境Athena 下， 形成 pn 结太阳能电池的基本工艺流程。相关语句关键词如图 1 所示
根据图 1 所示的工艺流程， 本文选择 p 型单晶Si 衬底， 衬底晶向为《 100》 ， 衬底电阻率定义为1 ：：cm， n 型掺杂浓度为1 ： 1017/ cm3。设置器件厚度为150 ：m， 长度为10 ：m， 宽度选择默认值1 ：m，仿真得到结深约为0:35 ：m的单晶 Si pn 结太阳能电池， 其结构示意图如图 2 所示
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