SiC MOSFET的工作:挑战和设计建议

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  SiC MOSFET的工作:挑战和设计建议

  对于大功率应用,如电网转换、电动汽车或家用电器,碳化硅(MOSFET)MOSFET比硅IGBT具有许多优点,包括更快的开关速度、更高的电流密度和更低的通态电阻。然而,SiC MOSFET都有他们自己的担忧的问题,包括耐用性、可靠性,在高频响,及故障处理。

  对于设计者来说,成功应用碳化硅MOSFET的关键是要深入了解碳化硅MOSFET独特的操作特性及其对设计的影响。本文将提供洞察力,以及实施建议和解决实例。

  SiC MOSFET的工作:挑战和设计建议

  Why SiC MOSFETs

  To appreciate the capabilities of SiC MOSFETs it’s useful to compare them to their Si counterparts. SiC devices can block 10x more voltage than silicon, have a higher current density, can transition between the on and off states 10x faster, and have lower on-state resistance. For example, a 900 volt SiC MOSFET can provide the same on-state resistance as Si MOSFETs in a chip size 35x smaller (Figure 1).

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