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微电子机械系统（MEMS）及硅在KOH中各向异性腐蚀的物理模型

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:0.2 MB | 2017-11-07

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　　针对硅在 KOH 中的各向异性腐蚀提出了一个新的物理模型。 此模型从微观角度出发， 根据实际的腐蚀化学反应过程确定了若干微观状态， 提出了反映腐蚀特性的若干微观参数。 将腐蚀温度、浓度等对腐蚀速率的影响也反映了进去。 计算结果与实验结果进行了对比， 表明此模型在解释硅在 KOH 中各向异性腐蚀特性等方面具有一定的合理性。

　　微电子机械系统（M EM S） 的发展令人瞩目， 它是在微电子工艺基础上发展起来的多学科交叉的前沿研究领域。 M EM S 的三维结构， 突破了集成电路平面结构的限制， 从而拓宽了M EM S 的实际应用领域。 为此， 在集成电路平面工艺的基础上， 需要加上特有的体加工工艺技术来实现M EM S的三维结构， 例如各向异性腐蚀技术［ 1 ］等。

微电子机械系统（MEMS）及硅在KOH中各向异性腐蚀的物理模型

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