AI浪潮拉动DRAM与NAND闪存合约价飙升
HBM供应商议价提前,2025年HBM产能产值或超DRAM 3分
现代DRAM内存发明人罗伯特·登纳德离世
SK海力士提前完成HBM4内存量产计划至2025年
HBM内存市场旺盛,2025年产能与市场份额将攀升
SK海力士考虑新建DRAM工厂
AMD与台积电联手推动先进工艺发展
SK海力士考虑在美国或其他地区建立新内存工厂
三星与AMD达成30亿美元合作协议
存储芯片行业曙光初现,上下游涨价拉锯战持续
江波龙国际合规成果显著,Lexar美国业务解约
SK海力士发布2024财年第1季度财报,创历史同期新高
韩国创新型相变存储器结合DRAM和NAND优点
SK海力士扩充AI基础设施DRAM产能
SK海力士提升AI基建产能,助力韩国成为AI半导体强国
SK海力士将采用台积电7nm制程生产HBM4内存基片
东芝计划裁员5000人,积极为基建和数字技术业务发展奠定基础
SK海力士与台积电达成研发合作,推动HBM4和下一代封装技术发展
三星计划应用TC-NCF工艺生产16层HBM4内存
三星LPDDR5X DRAM内存创10.7Gbps速率新高