NCP5111 功率MOSFET / IGBT驱动器 单输入 半桥

KANA 发表于 2019-07-31 01:02:17

数据: 数据表:单输入高压半桥驱动器

NCP5111是一款高压功率栅极驱动器,提供两个输出,用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或以半桥配置排列的IGBT。
它使用自举技术确保正确驱动高侧电源开关。
特性
  • 高压范围:高达600V
  • dV / dt抗扰度±50 V / ns
  • 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
  • 高低驱动输出
  • 输出源/灌电流电流能力250 mA / 500 mA
  • 兼容3.3 V和5 V输入逻辑
  • 输入引脚上的Vcc摆幅
  • 两个频道之间的匹配传播延迟
  • 内部固定Dea的一个输入d时间(650 ns)
  • 在两个频道的Vcc LockOut(UVLO)下
  • 引脚与引脚兼容行业标准
应用
  • 半桥电源转换器

电路图、引脚图和封装图






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