搜索内容
登录
MOSFET
149人关注
简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
...展开
6558
文章
545
视频
1147
帖子
230518
阅读
关注标签,获取最新内容
全部
技术
资讯
资料
帖子
视频
产品
方案
深度解析48V系统如何革新机器人技术
2025-12-30
723阅读
青铜剑技术和基本半导体联合研发双通道驱动板BSRD-2503
2025-12-29
79阅读
芯导科技PD快充同步整流MOSFET应用解读
2025-12-29
98阅读
龙腾半导体推出新一代150V G3平台SGT MOSFET产品LSGT15R032
2025-12-29
266阅读
便携式医疗设备设计中关键电路模块的MOSFET选型策略
2025-12-29
102阅读
合科泰解析高压MOSFET的选型逻辑
2025-12-29
96阅读
合科泰MOS管在10-30W反激式LED驱动电源设计中的应用
2025-12-29
210阅读
BLDC无位置传感器控制方式介绍
2025-12-30
2797阅读
CS5N90A4R数据手册
2025-12-27
67阅读
选型手册:VSO012N06MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
2025-12-25
97阅读
三菱电机SiC MOSFET的可靠性测试
2025-12-24
4607阅读
派恩杰SiC器件在数据中心中的应用
2025-12-24
862阅读
选型手册:VS3508AS P 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
2025-12-24
104阅读
碳化硅(SiC) MOSFET功率器件热设计基础与工程实践研究报告
2025-12-24
157阅读
SiC碳化硅MOSFET功率半导体销售培训手册:电源拓扑与解析
2025-12-24
260阅读
争妍微 FR7N65 平面 MOS TO-220 赋能逆变电源,替代 STP75NF75
2025-12-23
574阅读
快充国产替代新突破!争妍微650V GaN HEMT赋能300W USB-C PD,替代英诺赛科INN650D02
2025-12-23
643阅读
国产替代突破!深圳争妍微工业级、车规级可控硅系列赋能汽车空调升级,替代NXP BTA20
2025-12-23
996阅读
国产替代成趋势!争妍微600V快恢复二极管TO-220变频器专用替代BYV26C赋能变频器产业升级
2025-12-23
686阅读
基于隔离驱动IC两级关断技术的碳化硅MOSFET伺服驱动器短路保护研究报告
2025-12-23
376阅读
上一页
1
/
436
下一页
相关推荐
更多 >
IOT
海思
STM32F103C8T6
数字隔离
硬件工程师
wifi模块
MPU6050
Protues
STC12C5A60S2
UHD
74ls74
×
20
完善资料,
赚取积分