NCP5181 MOSFET / IGBT驱动器 高压 高压侧和低压侧 双输入
KANA 发表于 2019-07-31 01:02:17
数据:
数据表:高压高侧和低侧驱动器
NCP5181是一款高压功率Mosfet驱动器,提供两路输出,用于直接驱动以半桥(或任何其他高端+低端配置)布置的2 N沟道功率Mosfet。自举技术,以确保正确驱动高端电源开关。驱动器使用2个独立输入来适应任何拓扑(包括半桥,非对称半桥,有源钳位和全桥)。
特性
高压范围:高达600 V
dV / dt抗扰度50 V / nsec
栅极驱动器电源范围为10 V至20 V
高低DRV输出
输出源/灌电流能力1.1 A / 2.4 A
兼容3.3 V和5 V输入逻辑
输入引脚上的Vcc摆动
两个通道之间的匹配传播延迟
带输入的相位输出
适应所有拓扑的独立逻辑输入
在两个通道的VCC LockOut(UVLO)下
引脚到引脚兼容与IR2181(S)
应用
UPS系统的桥式逆变器
大功率能源管理
半桥电源转换器
全桥转换器
任何互补驱动转换器(非对称半桥,有源钳位)
电路图、引脚图和封装图
技术文档
数据手册(1)
数据表:高压高侧和低侧驱动器
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