NCV51705 汽车SiC MOSFET驱动器 低侧 单个6A高速

KANA 发表于 2019-07-30 23:02:20

数据: 数据表:单个6 A高速,低侧SiC MOSFET驱动器

NCV51705驱动器主要用于驱动SiC MOSFET晶体管。为了实现尽可能低的导通损耗,驱动器能够向SiC MOSFET器件提供最大允许栅极电压。通过在导通和关断期间提供高峰值电流,开关损耗也最小化。为了提高可靠性,dV / dt抗扰度和更快的关断速度,NCV51705可以利用其板载电荷泵产生用户可选择的负电压轨。对于隔离应用,NCV51705还提供外部可接入的5 V电源轨供电数字或高速光隔离器的次级侧。
特性 优势
  • 具有分离输出阶段的高峰值输出电流
  • 允许独立的开启/关闭调整
  • 扩展正电压额定值高达28 V Max
  • 导电期间高效的SiC MOSFET工作
  • 用户可调节的内置负电荷泵(-3.3 V至-8 V)
  • 快速关闭和强大的dV / dt免疫
  • 可访问的5 V参考/偏置轨道
  • 最大限度地降低隔离栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
  • 可调节欠压锁定
  • 足够的VGS振幅以匹配SiC最佳性能
  • 快速去饱和功能
  • 设计的自我保护
  • QFN24封装4 x 4 mm
  • 小&低寄生电感包
  • AEC-Qualifiied
  • 对于HEV / EV中的SiC大功率模块
应用 终端产品
  • 高性能逆变器
  • 高功率PFC
  • 高功率SiC模块
  • 车载充电器
  • 牵引逆变器
  • 大功率DC / DC转换器

电路图、引脚图和封装图




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