GaN功率电子器件的技术路线
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目前世界范围内围绕着GaN功率电子器件的研发工作主要分为两大技术路线，一是在自支撑Ga N衬底上制作垂直导通型器件的技术路线，另一是在Si衬底上制作平面导通型器件的技术路线。Ga N基垂直和平面导通型器件的结构简图如图表2所示。
(a) 垂直导通型GaN MOSFET
(b) 平面导通型GaN MOSFET
图表2 基于GaN自支撑衬底的垂直导通型MOSFET 和 基于Si衬底的平面导通型GaN MOSFET的结构图
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