用硅电容代替陶瓷电容，村田的“光”策略

村田的多层片状陶瓷电容广泛应用于消费类电子、汽车等多个领域，为人们所熟悉。但在光通信领域，村田主打的硅电容有着比陶瓷电容更好的性能，满足光通信对超高频器件的需求。
 
村田的这条硅电容产品线，来自于2016年村田收购的IPDiA S.A公司。这家公司位于法国，该公司的产品和技术被广泛应用于医疗、工业、通信等要求高可靠性的领域，此次收购进一步巩固了村田作为高可靠性电容器供应商的领先地位。
 
在第21届中国国际光电博览会（CIOE 2019）上，村田工程师向电子发烧友记者介绍，光通信速度越来越快，当通信速度达到毫米波宽带时，超小型的贴片陶瓷电容器（MLCC）中的插入损耗会增加，相比之下，硅电容器具有低插入损耗、高稳定性等优势，市场需求迅速扩大。
 
村田的高密度硅电容器，通过应用半导体的MOS工艺实现三维化，大幅增加电容器表面积，从而提高了基板单位面积的静电容量。这个特点能够适用于网络相关（RF功率放大器、宽带通信）、高可靠性用途、医疗、汽车、通信等领域。
 
查阅村田官网硅电容技术的资料，村田将High-Q电感、电阻、平面MIM电容器、巴伦用沟槽MOS电容器、PLL环路滤波器、低通滤波器、RC滤波器、馈线去耦装置等各种被动元件组合起来，提供给客户。
 
此项技术也提供利用与MOS半导体完全兼容的后工序技术集成被动元件的平台，并且可以应用于SIP，利用其他技术（CMOS和MEMS等）进行多片模块和倒装片的异质集成。
 

 
在村田众多硅电容器产品系列中，本次光博会上展出的XBSC / UBSC / BBSC / ULSC系列是支持最高到100GHz+的表面贴装型硅电容器。
 

村田表面封装硅电容器产品

据悉，村田硅电容所支持的带宽从20、40、67到110GHz，目前67GHz的硅电容已经量产，110GHz的在去年底推出。不难看出，因应光通信高速率的要求，具有大带宽的硅电容将更受市场欢迎。
 
在特性上，村田硅电容器实现了-55℃至 150℃的广泛工作温度范围。耐压达450V，使用寿命至少达10年之久，硅电容尺寸薄至50um以内。这些参数都表明硅电容较之MLCC在光通信领域有着更大的应用特质。
 

村田引线键合用上下电极硅电容器产品

 
此次村田不仅带来了硅电容器，还展示了硅基板。普通的氮化铝(AlN)陶瓷基板无法做到小型化以及存在可靠性挑战，相比之下，村田定制化硅基板方案具有小型化、高可靠性、成本更低等优势。“硅基板可以将电容与电阻等器件整合到基板内部，从而实现基板的小型化等特性”，村田工程师解析说。
 
在数据中心领域村田提供用于线缆管理的RFID标签产品，由于在线缆实际应用中需要贴标签来辨别接头与插口的对应情况，时间久了普通标签容易磨损，而将RFID标签贴在接头上方便扫描验证，便于管理。村田的这款RFID标签采用陶瓷封装，通过读写器读取光纤ID、光纤种类、插入位置等信息，实现简单的光纤识别，消除连接错误，避免因接头插错而引起的数据中心系统停顿等故障的发生。
 
 
村田数据中心线缆管理用RFID标签产品
 
据了解，此次是村田第一次参加光博会，或许正是因为对光通信市场前景的看好，看得出村田是有备而来，布局了硅电容、硅基板以及小型化RFID标签等多种产品，应对未来高速增长的光通信市场需求。