Nexperia P沟道MOSFET，封装占位面积减少50%

（文章来源：电子工程世界）

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。  新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。

LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求严格的应用领域中使用近20年。事实证明，该封装的可靠性远高于AEC标准要求，超出关键可靠性测试指标2倍，同时独特的封装结构还提高了板级可靠性。  以前只有N沟道器件才采用LFPAK封装。现在，由于工业需求，Nexperia扩展了LFPAK56产品系列，将P沟道器件也囊括在内。

Nexperia产品经理Malte Struck评论道：“新款P沟道MOSFET面向极性反接保护；作为高边开关，用于座位调节、天窗和车窗控制等各种汽车应用。它们也适用于5G基站等工业应用场景。”采用LFPAK56封装的P沟道MOSFET现已上市。
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