意法半导体第二代SiC功率MosFET特性

意法半导体（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDSon）和优良的开关性能，开关损耗在结温范围内几乎没有变化。

ST提供广泛的第二代S MOSFET：额定击穿电压值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。

在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中，以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用中，使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处，包括：

●减小功率级的尺寸和重量

●实现更高的功率密度

●减小功率电路无源元件的尺寸和成本

●实现更高的系统效率

●减轻热设计限制，消除或减少散热器的尺寸和成本

ST的实验室测试比较了第二代650V SCTH35N65G2V-7 SiC MosFET与硅IGBT的开关损耗。SiC MosFET具有更低的开关损耗，即使在高温下也是如此。

这使得转换器或逆变器能够在非常高的开关频率下工作，从而减小其无源元件的尺寸。当温度超过175°C时，温度变化幅度很小，电阻也随着温度的升高而变化很小。

SiC MosFET特性

●工作结温高达200°C

●极低的开关损耗

●无体二极管的恢复损耗

●高温功率损耗较少

●易于驱动

●SiC MosFET应用

●牵引电动机

●充电站

●太阳能逆变器

●工厂自动化

●电动机驱动

●数据中心电源

●工业电池充电器

●不间断电源

ST第二代SiC功率MosFET标准化通态电阻与温度的关系

参考设计

ST提供了完整的参考设计解决方案，三相交流-直流和直流-交流应用的基础上，优化了功率转换的数字平台。基于ST第二代SiC MOSFET支持100kHz开关，有助于减少相关无源元件的尺寸和重量，实现99%的转换效率。

编辑：hfy